SMF-C3NiT: GaN RF HEMTs and MMIC Technology
| Diarienummer | |
| Koordinator | Gotmic AB |
| Bidrag från Vinnova | 392 533 kronor |
| Projektets löptid | november 2021 - december 2022 |
| Status | Avslutat |
| Utlysning | Kompetenscentrum |
Viktiga resultat som projektet gav
Det finns ett behov av högpresterande monolitiska integrerade mikrovågskretsar (MMIC) för W-bandet (75-110 GHz) och högre. Den främsta drivkraften bakom denna utveckling på marknaden är nästa generations radar/bild- och telekomsystem som arbetar i W-bandet och D-bandet (110-170 GHz). Vid så höga frekvenser kan konventionella MMIC-tekniker baserade på t.ex. GaAs eller SiGe kan inte användas på grund av begränsad uteffekt. Detta projekt fokuserade på utvecklingen av MMIC:er baserade på GaN-teknologi, som erbjuder väsentligt förbättrad kraftkapacitet vid höga frekvenser.
Långsiktiga effekter som förväntas
Kommersialiseringen av högfrekventa MMIC:er baserade på GaN-teknologi kommer att leda till ett unikt produkterbjudande baserat på en till stor del svensk leveranskedja. Detta kommer att stärka tillväxten och konkurrenskraften för den lokala elektronikindustrin. Europeiska systemtillverkare kommer också att dra nytta av att ha en lokal högpresterande GaN MMIC-leverantör, eftersom de flesta potentiella konkurrenter är USA-baserade företag som begränsas av International Trades in Arms Regulation (ITAR).
Upplägg och genomförande
Arbetspaket: 1 Projektledning 2 Produktspecifikation 3 MMIC Design (Utvärdering av designkoncept / topologier. Design och simulering av MMICs) 4 MMIC-tillverkning (optimering av HEMT-enheter för MMIC) 5 MMIC-test och verifiering