SiC Substrat Förstoringsprojekt

Viktiga resultat som projektet gav

Målet med detta projekt var förstoring av SiC kristaller till 200mm diameter samt odling och produktion av 200mm substrat. Med hjälp av detta projekt har KISAB lyckats odla 200mm SiC substrate och blivit det första företaget i hela världen som producerar 200mm SIC substrat nästan fria från basplansdislokationer.

Långsiktiga effekter som förväntas

Resultatet av detta projekt är en väl utvecklad process för produktion av de första BPD-fria 200mm SiC substraten. Med hjälp av detta projekt har KISAB lyckats producera 200mm SiC substrat med låg bow och warp nästan fria från basplansdislokationer. KISAB har varit i kontakt med de flesta stora halvledarkomponenttillverkarna runt om i världen och har emottagit stort intresse och beställningar från dem alla. Många företag inom halvledarindustrin är villiga att investera i KISAB för upprättandet av en större fabrik för massproduktion av KISABs SiC substrat.

Upplägg och genomförande

Huvudmålet med detta projekt var utveckling av förstoringsprocesser för tillväxt av 200mm substrate i FSGP-reaktorer. Fem ingenjörer från KISAB och en ingenjör från DISCO var inblandade i projektet på deltid. Tillväxtprocesserna utfördes på KISAB och boules med olika diametrar separerades av DISCO. Grafitdelar och polykristallint källmaterial köptes från tredje part. Generellt uppnåddes projektmålen över en längre period än vad som först uppskattats.