Högtransparens Schottky-kontakter i en kiselbaserad Josephson fälteffekttransistor, TransJoFET

Syfte och mål

Huvudfokus ligger på gränssnittet mellan det supraledande source- och drainkontaktskiktet och den halvledande kanalen hos Si Josephson FET:en. Projektet kommer att resultera i i) en supraledande Schottky-diod med optimerad Schottky-barriärhöjd för att demonstrera genomförbarheten av supraledare-halvledarkontakten vid mK-temperatur; och ii) en supraledande Si Josephson FET med mycket transparenta kontakter tillverkade i en CMOS-kompatibel process.

Förväntade effekter och resultat

Projekt Hi-TransJoFET ska bidra till etableringen av nyckelteknik för Si-baserade kvantbitar som en plattform för implementering av kvantberäkningar i stor skala. Supraledare-halvledarkontakter är en av nyckelkomponenterna i utvecklingen av Si-JoFET-kvanttekniken. Det slutliga målet är att dra nytta av etablerade CMOS-tillverkningsmetoderna för kvantberäkningshårdvara.

Planerat upplägg och genomförande

Projektet kommer att genomföras vid Uppsala universitet. Prof. Shi-Li Zhang, PI för projektet, har en lång erfarenhet av kiseltillverkning och komponentteknik. Teamet består av fem forskare med god spridning i kompetens. Teknik för tillverkning av kisel-FET som etablerats i renrumsanläggningen i Myfab-Uppsala kommer att användas för komponenttillverkning. Jonimplantationssteg kommer att genomföras vid Jonteknikcentrum i Uppsala. Lågtemperaturemätningar (mK) kommer att utföras i samarbete med våra forskningspartners vid Leti/CEA i Frankrike.