Chips JU 2023 RIA Move2THz

Syfte och mål

Målet med projektet Move2THz är att stärka den europeiska infrastrukturen kring InP baserade halvledarkomponenter. Det kommer att uppnås genom att utveckla en nytt sätt att tillhandahålla halvledarmaterialet. Idén är att utnyttja en metod där ett tunnt skikt från bulk InP kan överföras till en billig Si bärarskiva (materialnamn: InPoSi). Det här kommer möjliggöra bättre användande av den processutrustning som finns tillgänglig för stora skivor av kisel i halvledarindustrin. De svenska parterna kommer fokusera på att anpassa sina egna InP HEMT/MMIC processer till InPoSi.

Förväntade effekter och resultat

Projektet kommer leda till en stärkt infrastruktur för InPoSi baserade teknologier där hela värdekedjan från halvledarskivan till färdiga halvledarkretsar kommer finnas tillgänglig i Europa för HEMT, HBT och optokomponenter. Move2THz kommer möjliggöra skalning upp till 12" skivor vilket kommer leda till bättre konkurenskraft mot konkurerande halvledarteknologier. Vi förväntar oss jämförbar transistorprestanda för InPoSi som för bulk InP, men med nya möjligheter till skalning och utnyttjande av processtekniker för Si och integration mot and kisel teknologier som CMOS.

Planerat upplägg och genomförande

Low Noise Factory (LNF) kommer att fokusera på utvecklingen av en MMIC process kompatibel med InPoSi. Utvecklingen kommer omfatta både förbättring av befintliga process och anpassningar som är nödvändiga för kiselbäraren. Chalmers University of Technology (Chalmers) kommer att fokusera på utvecklingen av InP HEMT transistorerna på InPoSi. Chalmers kommer att utveckla en InP HEMT process på InPoSi och göra jämförande studier på InP HEMT på InP bulkskivor. Tillsammans kommer Chalmers och LNF att genomföra omfattande modellering, mätning och utvärdering av InPoSi.